在晶体管测试仪中，基极信号产生电路可能输出什么样的测试信号给基极？

三极管问题请教，电路设计方面

1.由电阻Rb和Rc对Ucc电压的调节，就可以实现基极，集电极和发射极电势的差异，从而起到发射极正偏，集电极反偏的效果，这是电路静态工作的状态。U1是信号电压，因为有隔离直流的电容器C1的存在，它不会影响电路的静态工作点，如果你不需要放大U1信号，则U1确实可以去掉。（但是电路就是为了放大U1信号设计的，所以U1必然会存在） 2.电容C1作用在此时阻直流，通交流。就是只能输入交流电，那就是正负电势一直在变换，但是这个变化在设计中，应该是远小于三极管饱和和截止工作范围的，所以即使那三极管的电流方向还会发生变化，以还不至于达到影响发射极正偏，集电极反偏的程度，否则电路就不能正常工作了，需要使用更高

晶体管特性图示仪的原理

下面以使用本仪器测试“晶体二极管伏安特性”和“晶体三极管输出特性”为例，介绍仪器的工作原理。
1．二极管伏安特性的测试原理
流过二极管的电流I和二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。由二极管伏安特性曲线（正向区）可知，当我们将二极管两端的电压U由0逐渐增大时，二极管中的电流I会按照“二极管方程”的规律逐渐增大。
二极管方程式中：在环境温度为300K时，UT≈26mV 。
将这一过程重复进行称为“电压扫描”。根据特性曲线所在的象限，用本仪器“X轴作用”和“Y轴作用”的“移位”旋钮调整扫描的原点在示波器屏幕的左下角或右上角。当测量二极管正向特性曲线时，由于曲线位于第一象限，所以应将原点调整至屏幕左下角。（而反向特性曲线位于第三象限，应将原点调整至右上角，并将扫描电压极性选择为“－”。）二极管两端的电压U的值经“X轴放大器”放大后，控制示波器光点在X轴方向的运动。当电压由0逐渐增大时，光点从最左边的原点处向右水平移动，光迹的长度和电压值成正比。同时，用流过二极管的电流I的值（需变换成电压）经“Y轴放大器”放大后，来控制示波器光点在Y轴方向的运动。当电流由0 逐渐增大时，光点由最下边的原点处向上垂直运动，光迹的长度和电流成正比。两者的共同作用就会使示波器的光点在在屏面上显示出二极管的伏安特性曲线，并可根据示波管上的刻度定量读出电压、电流的数据。
测试二极管伏安特性曲线时，仪器工作原理如图1所示。
（1）将“测试选择”开关扳向中间（“关”），被测二极管插入测试台左侧“E”和“C”插孔中，这时二极管没有加电；当其它选项调节好后，再将“测试选择”扳向“晶体管A”侧，进行加电测量。
（2）测试二极管时，基极“阶梯信号”不起作用。加在被测二极管上的电压由“集电极扫描信号”单元提供。
“集电极扫描信号”单元输出的是频率为100Hz的脉动直流电压，波形如 的正电压或 的负电压，由“极性”旋钮控制，可选“+”或“－”；电压的峰值由“峰值电压范围”选择，可选“0～20伏”或“0～200伏”，再由“峰值电压”旋钮细调，可产生上述范围之间的任意值。注意：测量半导体器件一般选择“0～20”，而“0～200”用来测试器件的反向击穿电压。“功耗限制电阻”串连在电路中起保护作用，避免过大电流流过被测管。
测量二极管时，调节JT-1的“集电极扫描单元”的控制旋钮，使“极性”为“+”，“峰值电压范围”为“0～20V”，“峰值电压”先旋为“0”，正式测量时加大到所需值。 “功耗限制电阻”在测量大电流二极管时可选几Ω或几十Ω，小电流管可选几十Ω至几KΩ。
（3）“X轴作用”用来选择X轴放大器的测量对象和X轴放大器放大倍数，当扳至“集电极电压”0.1“伏

晶体管图示仪怎样测试三极管

(1) 屏幕上光点位置的确定 根据晶体管的输入、输出特性可知，NPN 型管的电压 vCE 和电流 iC 均为正值，相应的特性曲线在第一象限。故测量 NPN 型晶体管前，屏幕上光点应调到屏幕的左下角。同时，基极阶梯信号和集电极扫描电压均选“＋”极性。同理，测量 PNP 型管时，光点应调到屏幕的右上角，基极阶梯信号和集电极扫描电压均应选“－”极性。 2) 主要旋钮的作用及选择 “功耗电阻”：图示仪中的功耗电阻相当于晶体管放大器中的集电极电阻，它串联在 图1.2.5 输出特性曲线 被测晶体管的集电极与集电极扫描电压源之间，用来调节流过晶体管的电流，从而限制被测管的功耗。测试小功率管时，一般选该电阻值

简单的模电仿真问题！！急啊！！！！！

您的仿真暂时没有做成有两个原因。 一是基极偏置电阻Rb太小，使晶体管进入了饱和状态。您所用的2N2222晶体管的β=220，按照元增民《模拟电子技术》第71页所介绍基极最小偏置电阻计算公式Rb(min)=βRc可计算您仿真所用基极偏置电阻最小极限值 Rb(min)=βRc=200×3kΩ=660kΩ 您所用Rb=300kΩ，已经明显小于最小极限值Rb(min)，所以管子在无信号输入时已经进入深度饱和状态，这样放大器根本没有信号放大能力了。 按照该书72页所介绍临界基极偏置电阻计算公式Rb(cr)=β(Rc+R'L)可计算您仿真所需要基极偏置电阻应为 Rb(cr)=β(Rc+R'L)=220×(

晶体管工作状态

晶体管工作的条件 1.集电极电阻Rc: 在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号)，需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。 2.集电极电源Ec(或Vcc): Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。能量的来源是靠Ec的维持，而不是晶体管自身。 3.基极电源Eb: 为了使晶体管产生电流放大作用，除了保证集电结处于反向偏置外，还须使发射结处于正

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